| Lez. 1. |
(Prof. Soncini) Introduzione alla microelettronica. Panoramica sui
contenuti del corso |
| Lez. 2. |
(Prof. Soncini) Introduzione alla tecnologia planare del silicio |
| Lez. 3. |
(Prof. Soncini) Conduzione elettrica nei metalli |
| Lez. 4. |
(Prof. Soncini) Semiconduttore in equilibrio termodinamico: concentrazione
di cariche mobili (elettroni e lacune) |
| Lez. 5. |
(Prof. Soncini) Semiconduttore intrinseco ed estrinseco |
| Lez. 6. |
(Prof. Soncini) Conduzione elettrica nel semiconduttore |
| Lez. 7. |
(Prof. Soncini) Misure di conducibilità elettrica e di mobilità.
Equazioni del trasporto |
| Lez. 8. |
(Prof. Soncini) Semiconduttore non omogeneo. Semiconduttore fuori
equilibrio |
| Lez. 9. |
(Prof. Soncini) Equazioni di continuità. Piccole perturbazioni. Modello
matematico del semiconduttore |
| Lez. 10. |
(Prof. Soncini) Giunzione pn in equilibrio e in polarizzazione inversa.
Capacità di giunzione |
| Lez. 11. |
(Prof. Soncini) Giunzione pn in polarizzazione inversa |
| Lez. 12. |
(Prof. Soncini) Giunzione metallo/semiconduttore. Contatto ohmico tipo
tunnel |
| Lez. 13. |
(Prof. Soncini) Transistore bipolare BJT |
| Lez. 14. |
(Prof. Soncini) Interfaccia ossido/silicio |
| Lez. 15. |
(Prof. Soncini) Condensatore MOS |
| Lez. 16. |
(Prof. Soncini) Transistore MOSFET |
| Lez. 17. |
(Prof. Soncini) Accrescimento cristalli silicio ed epitassia |
| Lez. 18. |
(Prof. Soncini) Ossidazione termica |
| Lez. 19. |
(Prof. Soncini) Diffusione termica |
| Lez. 20. |
(Prof. Soncini) Impianto ionico |
| Lez. 21. |
(Prof. Soncini) Metallizzazione |
| Lez. 22. |
(Prof. Rudan) Introduzione al CAD tecnologico. Giunzione p-n diffusa |
| Lez. 23. |
(Prof. Rudan) Introduzione al CAD tecnologico. Transistore bipolare |
| Lez. 24. |
(Prof. Rudan) Introduzione al CAD tecnologico. Transistore MOS |
| Lez. 25. |
(Prof. Soncini) Ingegneria di processo: circuiti integrati bipolari |
| Lez. 26. |
(Prof. Soncini) Ingegneria di processo: circuiti integrati bipolari e CMOS |
| Lez. 27. |
(Prof. Soncini) Ingegneria di processo: circuiti integrati CMOS |
| Lez. 28. |
(Prof. Soncini) Testing parametrico. testing funzionale. Rese di
produzione |
| Lez. 29. |
(Prof. Naldi) Semiconduttori composti: mercato e applicazioni; legame
misto e cristalli; caratteristiche elettriche |
| Lez. 30. |
(Prof. Naldi) Trasporto nei semiconduttori composti: alcuni strumenti
della meccanica quantistica; relazione di dispersione; massa efficace; diagramma a bande
di Ge e di Si |
| Lez. 31. |
(Prof. Naldi) Trasporto nei semiconduttori composti: diagramma a bande di
GaAs e InP; distribuzione maxwelliana delle velocità dei portatori; relazione velocità
campo elettrico in GaAs; overshoot della velocità |
| Lez. 32. |
(Prof. Naldi) Tecnologia del GaAs: crescita del monocristallo (LEC,
Bridgman); impiantazione ionica e annealing |
| Lez. 33. |
(Prof. Naldi) Tecnologia del GaAs: crescita epitassiale (LPE, VPE, MOCVD,
MBE); substrati semiisolanti |
| Lez. 34. |
(Prof. Naldi) Dispositivi MESFET: epitassiale; impiantato (D-MESFET,
E-MESFET) |
| Lez. 35. |
(Prof. Naldi) Dispositivi MESFET: saturazione di velocità; modelli
analitici; modelli per piccoli segnali e processi di fitting |
| Lez. 36. |
(Prof. Naldi) Amplificatori lineari: modelli a scatola chiusa; tecniche di
progetto; condizioni di stabilità e progetto a basso rumore |
| Lez. 37. |
(Prof. Naldi) Amplificatori: realizzazioni a parametri concentrati;
dispositivi per applicazioni di potenza |
| Lez. 38. |
(Prof. Naldi) Applicazioni digitali del GaAs: tecnologia SAG; tensioni di
soglia; logiche DCFL, SDCFL |
| Lez. 39. |
(Prof. Naldi) Multi-Quantum-Well: eterostrutture con adattamento
reticolare e lattice strained; superreticoli e modulazione di drogaggio |
| Lez. 40. |
(Prof. Naldi) Transistori HEMT e HBT: caratteristiche di funzionamento;
tecnologia e applicazioni |
pited@pitagoragroup.it